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當前位置:教育論文中心首頁--碩士論文--SiC單晶生長設備熱場設計及仿真分析
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SiC單晶生長設備熱場設計及仿真分析
 
     論文目錄
 
摘要第5-7頁
Abstract第7-8頁
第1章 緒論第12-21頁
    1.1 研究背景及意義第12-13頁
    1.2 國內外研究現狀第13-19頁
        1.2.1 國際進展情況第13-14頁
        1.2.2 國內發展現狀第14-19頁
    1.3 本文研究內容及意義第19-21頁
第2章 單晶生長及生長系統概述第21-32頁
    2.1 半導體材料及碳化硅晶體的概述第21-23頁
        2.1.1 半導體材料概述第21頁
        2.1.2 碳化硅晶體的結構與分類第21-22頁
        2.1.3 碳化硅的物理特性第22-23頁
    2.2 碳化硅晶體材料的應用第23-25頁
    2.3 碳化硅的制備方法第25-30頁
        2.3.1 高溫化學氣相沉積法第25-27頁
        2.3.2 液相法第27頁
        2.3.3 物理氣相傳輸法第27-30頁
    2.4 碳化硅晶體的主要研究方向第30-31頁
        2.4.1 傳質、傳熱及生長動力學第30-31頁
        2.4.2 計算機輔助仿真模擬技術第31頁
    2.5 本章小結第31-32頁
第3章 電磁加熱原理與加熱系統結構設計第32-54頁
    3.1 長晶爐設計技術要求第32-40頁
        3.1.1 碳化硅晶體生長條件第32-33頁
        3.1.2 長晶爐結構設計第33-40頁
    3.2 加熱系統設計概述第40-41頁
        3.2.1 電磁感應加熱的優勢第40-41頁
        3.2.2 可控制變量及其耦合關系第41頁
    3.3 加熱系統設計理論基礎第41-48頁
        3.3.1 電磁感應加熱技術第41-45頁
        3.3.2 傳熱理論第45-48頁
    3.4 感應加熱系統的結構設計第48-52頁
        3.4.1 石墨坩堝與感應加熱線圈結構設計第48-51頁
        3.4.2 感應加熱電源額定功率的計算與驗證第51-52頁
    3.5 本章小節第52-54頁
第4章 長晶設備熱場仿真分析第54-65頁
    4.1 有限元法概述第54-55頁
    4.2 溫度場數值模擬第55-61頁
        4.2.1 VR數值模擬軟件第55-56頁
        4.2.2 溫度場數值模擬計算結果第56-61頁
    4.3 石墨坩堝結構對碳化硅晶體生長速率的影響第61-64頁
    4.4 本章小結第64-65頁
第5章 PVT法生長試驗工藝第65-70頁
    5.1 實驗前期準備第65-68頁
        5.1.1 SiC原料的凈化處理第65-66頁
        5.1.2 籽晶粘貼第66頁
        5.1.3 坩堝凈化第66-67頁
        5.1.4 設備凈化第67頁
        5.1.5 坩堝的凈化處理第67頁
        5.1.6 SiC原料燒結與保溫層凈化處理第67-68頁
    5.2 生長工藝與試驗結果第68-69頁
        5.2.1 單周期晶體生長工藝步驟第68頁
        5.2.2 試驗獲得的晶錠第68-69頁
    5.3 本章小結第69-70頁
第6章 總結與展望第70-72頁
    6.1 本文總結第70頁
    6.2 展望第70-72頁
參考文獻第72-75頁
致謝第75頁

 
 
論文編號BS4590458,這篇論文共75
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